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🧭 核心要点要1N4007W制造从高纯度硅锭拉制开始，通过切片得到薄硅片要扩散工艺在高温炉中进行，控制PN结深度，以实现1A电流容量和1000V耐压要电极形成采用蒸镀铝或钛技术，确保接触电阻低要封装过程使用SMD DO-214AC外壳，注塑成型后进行电性能测试，包括漏电流和正向压降
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