进场先看槽液配方浓度与除气压力，再确认机台转速与刮胶速度是否匹配，最后通过探针实时电压复核硅丰度，有助于每一片晶圆边缘无凹陷、表面无细微划痕。
流程讲究顺序，光刻前必须将表面处理至原子级平整，芯片制程一旦抛光不良会直接导致良率波动，采购在询价时除了看设备精度，更要确认供应商能否提供全流程的驻场工艺验证，避免设备到了厂里却因参数设定偏差无法闭环。
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除了实时电压，技术员还要盯着槽液循环泵是否冒泡，如果除气不较充分会产生物理气蚀坑，影响后续光刻对准精度，很多成本超标问题并非设备价格贵，而是参数复核环节缺失导致废弃晶圆。
技术员在复核时必须携带标准样板，对照车辆式读数器判断特征深度，如果有数值异常则立即停机清洗滚轮并重新清零，不同批次晶圆在描述时必须注明表面粗糙度Ra值，这对半导体晶圆代工来说是不可逾越的屏障。
下一步要向工艺工程师索要该批次的边抛数据报表，核对前道粗抛与后道精抛的过渡曲线是否平滑，同时确认样品能通过ISO洁净度分级测试，参数确认无误后需再次核对滚轮与药盘的压力设定，有助于交付的全流程无遗漏环节。