金线键合利用超声热压原理将金丝与芯片焊盘及引线框架连接，形成稳定导电通路。键合强度直接影响器件长期可靠性。
主要工艺参数包括超声功率、键合压力、温度及时间。现代封装多采用细线径（18-25μm）金线以适应高密度封装需求。
通过等离子清洗、优化毛细管设计及实时监控，可显著降低虚焊、空洞等缺陷，提升键合一次通过率至99%以上。
知识速读半导体封装金线键合半导体封装
金线键合技术在半导体封装中的核心应用与工艺优化
核心要点
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金线键合利用超声热压原理将金丝与芯片焊盘及引线框架连接，形成稳定导电通路。键合强度直接影响器件长期可靠性。
主要工艺参数包括超声功率、键合压力、温度及时间。现代封装多采用细线径（18-25μm）金线以适应高密度封装需求。
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