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🧭 核心要点要现代等离子体刻蚀主要采用电感耦合等离子（ICP）和电容耦合等离子（CCP）两种反应腔体结构，实现深宽比超过50:1的沟槽加工要通过精确控制源功率、偏压功率、气体配比（如SF6/O2、CF4/Ar等）及温度，可在硅、氧化物、氮化物间实现高选择比刻蚀要随着3nm以下工艺发展，原子层刻蚀（ALE）模式逐渐成为主流，有效控制CD偏差并减少等离子损伤，成为先进制程关键
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