TARC涂层技术:半导体制造中关键的光刻胶去除工艺

TARC涂层技术:半导体制造中关键的光刻胶去除工艺
TARC涂层在193nm浸没式光刻中置于光刻胶上方,主要功能为降低空气-液体界面反射,提高CD(关键尺寸)均匀性与图案保真度。 主流TARC材料分为水溶性和溶剂型两大类,水溶性TARC在显影过程中同步去除,工艺兼容性更强,已成为14nm及以下制程标准配置。...

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TARC涂层在193nm浸没式光刻中置于光刻胶上方,主要功能为降低空气-液体界面反射,提高CD(关键尺寸)均匀性与图案保真度。

主流TARC材料分为水溶性和溶剂型两大类,水溶性TARC在显影过程中同步去除,工艺兼容性更强,已成为14nm及以下制程标准配置。

随着EUV光刻逐步量产,新型低缺陷、低颗粒TARC材料持续迭代,对残留物控制与缺陷率的要求更加严苛,直接影响芯片良率。

🧭 核心要点

  • TARC涂层在193nm浸没式光刻中置于光刻胶上方,主要功能为降低空气-液体界面反射,提高CD(关键尺寸)均匀性与图案保真度
  • 主流TARC材料分为水溶性和溶剂型两大类,水溶性TARC在显影过程中同步去除,工艺兼容性更强,已成为14nm及以下制程标准配置
  • 随着EUV光刻逐步量产,新型低缺陷、低颗粒TARC材料持续迭代,对残留物控制与缺陷率的要求更加严苛,直接影响芯片良率

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