在光伏产业中,二硫化硒常用于制备CIGS或Sb2(S,Se)3吸收层薄膜。采用化学气相沉积(CVD)工艺,将二硫化锡粉末置于石英管中部,硒粉与硫粉置于进气端,在惰性气体保护下升温至620-750℃保温3-30分钟,实现单晶沉积。
操作需严格控制惰性气体流量1-10sccm,避免空气污染导致材料缺陷。所得二维超薄单晶厚度几纳米至数百纳米,适用于微纳电子与高效太阳能电池组件。
使用时佩戴防护装备,有助于通风良好,遵守化学品安全规范,避免直接接触与吸入粉尘。
在光伏产业中,二硫化硒常用于制备CIGS或Sb2(S,Se)3吸收层薄膜。采用化学气相沉积(CVD)工艺,将二硫化锡粉末置于石英管中部,硒粉与硫粉置于进气端,在惰性气体保护下升温至620-750℃保温3-30分钟,实现单晶沉积。
操作需严格控制惰性气体流量1-10sccm,避免空气污染导致材料缺陷。所得二维超薄单晶厚度几纳米至数百纳米,适用于微纳电子与高效太阳能电池组件。
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