中国光刻机技术已实现28nm制程量产，摆脱65nm瓶颈，但高端EUV领域仍落后ASML约20年，依赖进口核心部件。

2025年关键突破包括哈工大13.5nm EUV光源和中科院深紫外系统，提升曝光精度，推动7nm以下试产。

国产光刻机商业价值凸显，降低供应链风险，预计2025年市场份额升至15%，助力半导体自主化。