半导体芯片激光切割技术现状与精密加工应用

半导体芯片激光切割技术现状与精密加工应用
飞秒/皮秒激光器配合精密光学系统,可实现晶圆级芯片的隐形切割与全切割,切缝宽度控制在5-15μm之间。 相较传统刀片切割,激光切割热影响区小于10μm,有效避免晶粒层崩裂与器件电性能损伤,特别适合SiC、GaN等第三代半导体材料。...

继续看这几个更接近下一步需求

看完当前页后常会继续点这里

继续往下看,通常会走这几步

把当前需求拆成更容易点击的下一页
💡了解更多「半导体芯片激光切割技术现状与精密加工应用」

📋 半导体芯片激光切割技术现状与精密加工应用 详细介绍

飞秒/皮秒激光器配合精密光学系统,可实现晶圆级芯片的隐形切割与全切割,切缝宽度控制在5-15μm之间。

相较传统刀片切割,激光切割热影响区小于10μm,有效避免晶粒层崩裂与器件电性能损伤,特别适合SiC、GaN等第三代半导体材料。

目前已广泛应用于IGBT、SiC MOSFET、射频滤波器及Mini/Micro LED芯片的量产分割,良率与产能表现优于传统工艺。

🧭 核心要点

  • 飞秒/皮秒激光器配合精密光学系统,可实现晶圆级芯片的隐形切割与全切割,切缝宽度控制在5-15μm之间
  • 相较传统刀片切割,激光切割热影响区小于10μm,有效避免晶粒层崩裂与器件电性能损伤,特别适合SiC、GaN等第三代半导体材料
  • 目前已广泛应用于IGBT、SiC MOSFET、射频滤波器及Mini/Micro LED芯片的量产分割,良率与产能表现优于传统工艺

相关专题入口

补充浏览入口,放在页尾,不影响当前广告位与首屏阅读路径