碳化硅功率器件激光退火工艺技术进展
问碳化硅功率器件激光退火工艺技术进展
答采用308nm准分子激光或纳秒级固体激光，对SiC进行选择性表面退火，可有效激活Al、N等掺杂元素。 相比传统高温炉退火，激光退火热影响区小，避免晶体缺陷增生及表面粗糙化，适合4H-SiC MOSFET制造。...
💡了解更多「碳化硅功率器件激光退火工艺技术进展」
📋 碳化硅功率器件激光退火工艺技术进展 详细介绍
采用308nm准分子激光或纳秒级固体激光，对SiC进行选择性表面退火，可有效激活Al、N等掺杂元素。
相比传统高温炉退火，激光退火热影响区小，避免晶体缺陷增生及表面粗糙化，适合4H-SiC MOSFET制造。
工艺关键参数包括脉冲能量密度、扫描速度及重叠率，需严格控制以实现均匀激活与低接触电阻。
🧭 核心要点
- 要采用308nm准分子激光或纳秒级固体激光，对SiC进行选择性表面退火，可有效激活Al、N等掺杂元素
- 要相比传统高温炉退火，激光退火热影响区小，避免晶体缺陷增生及表面粗糙化，适合4H-SiC MOSFET制造
- 要工艺关键参数包括脉冲能量密度、扫描速度及重叠率，需严格控制以实现均匀激活与低接触电阻