碳化硅功率器件激光退火工艺技术进展

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采用308nm准分子激光或纳秒级固体激光，对SiC进行选择性表面退火，可有效激活Al、N等掺杂元素。

相比传统高温炉退火，激光退火热影响区小，避免晶体缺陷增生及表面粗糙化，适合4H-SiC MOSFET制造。

工艺关键参数包括脉冲能量密度、扫描速度及重叠率，需严格控制以实现均匀激活与低接触电阻。